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3-D芯片电阻器材料

更新时间:2018-12-10 点击数:309

3-D芯片电阻器材料

  3-D芯片电阻器材料是集成电路(IC),其包含执行数字,模拟,图像处理和神经网络功能的三维互连设备阵列,单独或组合。

  查看用于创建3-D芯片的薄化晶圆的图像

  3-D芯片技术解决了许多问题,这些问题一直在挑战寻求性能提升和处理器尺寸减小的芯片制造商。随着芯片变得越来越小和越来越强大,连接越来越多的晶体管的导线必然变得更薄并且更紧密,导致电阻增加和过热。两者都可能导致信号延迟,从而限制了中央处理单元的时钟速度。

  2007年4月,IBM和Rensselaer Polytechnic Institute(RPI)研究人员在IBM T.J.的合作伙伴关系中宣布了新版3-D芯片。沃森研究中心,得到了国防高级研究计划局(DARPA)的支持。这些3-D芯片使用称为晶圆键合的技术将一个芯片层叠在另一个芯片上。虽然一些公司目前通过一个接一个地分层处理器来封装处理器,但IBM的技术使用一个硅基层,其中有源晶片分层。这允许工程师将处理器放置在堆栈的底部,然后在顶部层叠存储器或其他组件,导致连接器长度减少一千倍,因为芯片不再以二维布局组织,并且连接线芯片外围的晶体管。这减少了数据必须行进的距离,从而加快了处理速度。同样,连接器密度增加了一百倍,大大减小了芯片的尺寸。


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